[发明专利]P沟道非易失性存储元件的操作方法

摘要

一种操作非易失性存储元件的方法。此存储元件包括多个存储单元。存储单元具有n型半导体衬底，以及设置于衬底表面下、且以沟道区分隔的p型源极与漏极区。穿隧介电层设置于沟道区上。电荷存储层设置于穿隧介电层上。顶绝缘层设置于电荷存储层上，而栅极则设置于顶绝缘多层结构上。在选定存储单元的存储元件的字线施加正偏压，并且在此选定存储单元的位线施加负偏压。

主权项

一种操作存储单元的方法，其特征在于其包括：(a)提供一存储单元，该存储单元包括(i)一n型衬底，具有二p型源/漏极区设置于该衬底的一表面下，该二p型源/漏极区借由一沟道区分隔，(ii)一多层穿隧介电结构，设置于该沟道区上，(iii)包括一层电荷陷入材质的一电荷存储层，设置于该多层穿隧介电结构上，(iv)一绝缘层，设置于该电荷存储层上，以及(v)一控制栅极，设置于该绝缘层上；(b)在该控制栅极施加一负复位偏压，以使得空穴自该沟道区穿隧而出，经由该多层穿隧介电结构进入该存储单元的该电荷存储层与电子由所述控制栅极穿隧而出，经过该绝缘层而进入该电荷存储层，两者之间产生一动态平衡状态；以及(c)在该控制栅极施加一正偏压，以及在该些源/漏极区其中之一施加负偏压。