[发明专利]半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010232220.9 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339740A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 韦国樑;李鸿志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法。该制造方法，包含形成一具有多层半导体材料的结构。在此多层结构中进行一次或多次蚀刻工艺，且随后对此半导体多层结构进行氩/氧处理，此氩/氧处理的方式是让此半导体结构暴露在氩离子撞击与氧分子中氧化。此氩/氧处理可以用来形成瓶状结构。同时本发明还提供了一种半导体装置的栅极结构和半导体装置。本发明可以有效地增加蚀刻的临界尺寸而不需要利用产生更多的副产物的工艺及不会需要引入不稳定的工艺或设备，并且不会严重地增加工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一具有多层的栅极结构；蚀刻该栅极结构；以及在该栅极结构的最终过度蚀刻之前进行氩/氧处理，以形成一瓶状栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
