[发明专利]激光直写薄膜和激光直写微纳图形的方法无效
| 申请号： | 201010215237.3 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101892461A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 顿爱欢;魏劲松;干福熹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种激光直写薄膜和激光直写微纳图形的方法，该激光直写薄膜是利用磁控溅射仪在玻璃基片上依次溅射的第一介质层、金属氧化物层和第二介质层而构成，所述的激光直写微纳图形的方法是采用绿光激光器对在高精度二维移动平台上的激光直写薄膜进行激光直写，以获得良好的亚微米级图形结构。本发明所制备的激光直写薄膜具有薄膜和基底之间附着力强、参数可控性好、薄膜致密度高、重复性高等优点。采用绿光激光器直写亚微米级图形结构有望用于太阳能电池，液晶显示等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 薄膜 直写微纳 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种激光直写薄膜，其特征在于该薄膜的构成是利用磁控溅射仪在玻璃基片上依次溅射的第一介质层、金属氧化物层和第二介质层，所述的金属氧化物层的金属氧化物为AgOx、PtOx或PdOx，其薄膜厚度为100～300nm；所述的第一介质层和第二介质层的材料为ZnS‑SiO2、SiN或SiO2，其薄膜厚度为8～12nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010215237.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种支撑鱼竿用可旋转支架
- 下一篇：一种梨园栽培棚架
- 同类专利
- 专利分类
