[发明专利]采用真空熔铸法制备铬靶的方法有效
| 申请号： | 201010181628.8 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101824599A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张红军;王玲玲;杨平 | 申请（专利权）人： | 陕西斯瑞工业有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用真空熔铸法制备铬靶的方法，依下述步骤进行：a.Cr块的挑选：将有氧化皮、被污染的Cr块挑出；b.熔炼：将合格的Cr块装入中频真空感应炉中，升温速率为10-18℃/min，熔炼温度为1800～2000℃；c.浇注：以0.6～0.8m/s的浇注速度快速浇铸到水冷Cu模中，进行快速冷却，制得Cr靶。本发明通过感应加热方法，在高温下将材料熔化，快速浇铸，并辅以快速冷却，实现快速形核并且抑制核长大，本方法制得的Cr靶，具有成分均匀、致密性高、晶粒细小、纯度高、工艺简单、成本低等优良的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 真空 熔铸 法制 备铬靶 方法 | ||
【主权项】：
采用真空熔铸法制备铬靶的方法，其特征在于，包括下述步骤：a.Cr块的挑选：将有氧化皮、被污染的Cr块挑出；b.熔炼：将合格的Cr块装入中频真空感应炉中，升温速率为10-18℃/min，熔炼温度为1800～2000℃，保温7-15分钟；c.浇注：以0.6～0.8m/s的浇注速度快速浇铸到水冷Cu模中，进行快速冷却制得Cr靶。
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