[发明专利]形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法有效
| 申请号： | 201010180113.6 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254796A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法，在衬底硅片上生长一层外延层；在所述外延层上形成沟槽；采用硅源气体、氢气、卤化物气体和掺杂气体的混合气体在所述沟槽内进行反型硅外延生长，填充该沟槽；进行硅外延生长时，在沟槽底部侧壁的生长速率大于沟槽顶部侧壁的生长速率，且使沟槽底部的掺杂浓度高于沟槽内其余部位的掺杂浓度。本发明能使沟槽底部以下的外延层被耗尽，提高器件的击穿电压。适用于超级结MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 交替 排列 半导体 薄层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在衬底硅片上生长一层N型外延层；步骤二，在所述N型外延层上形成沟槽；步骤三，采用硅源气体、氢气、卤化物气体和掺杂气体的混合气体在所述沟槽内进行P型硅外延生长，填充该沟槽；进行P型硅外延生长时，在沟槽底部侧壁的生长速率大于沟槽顶部侧壁的生长速率，且使沟槽底部的掺杂浓度高于沟槽内其余部位的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
