[发明专利]有机发光二极管显示器的像素结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种有机发光二极管显示器的像素结构及其制作方法，所述像素结构包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包括一第一漏极与一第一源极。当第一漏极与第一源极间具有一电压差时，第一晶体管具有一第一次临界斜率。第二晶体管包括一第二漏极与一第二源极。当第二漏极与第二源极间具有此电压差时，第二晶体管具有一第二次临界斜率，且第二次临界斜率大于第一次临界斜率。本发明使第一晶体管的第一次临界斜率小于第二晶体管的第二次临界斜率，以差异化第一晶体管与第二晶体管的电流与电压特性，使第一晶体管可具有较快的开关速度，且第二晶体管则可提供多种不同的第二漏极电流。

主权项

一种有机发光二极管显示器的像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：一基板；一第一晶体管，设于所述基板上，且所述第一晶体管包括：一第一栅极；一绝缘层，覆盖所述第一栅极与所述基板上；一第一漏极，设于所述绝缘层上；一第一源极，设于所述绝缘层上；以及一第一通道层，设于所述第一漏极与所述第一源极间的该绝缘层上，其中当所述第一晶体管的所述第一漏极与所述第一源极间具有一电压差时，所述第一晶体管具有一第一次临界斜率；一第二晶体管，设于所述基板上，且所述第二晶体管包括：一第二栅极，设于所述绝缘层与所述基板之间；一第二漏极，设于所述绝缘层上；一第二源极，设于所述绝缘层上；以及一第二通道层，设于所述第二漏极与所述第二源极间的所述绝缘层上，其中当所述第二晶体管的所述第二漏极与所述第二源极间具有所述电压差时，所述第二晶体管具有一第二次临界斜率，且所述第二次临界斜率大于所述第一次临界斜率；以及一第一图案化保护层，覆盖部份所述第一晶体管与所述第二晶体管。