[发明专利]硅压力传感器的封装结构有效
| 申请号： | 201010156192.7 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101799344A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 周敬训;沈蓉蓉;常军;郑金荣;王智 | 申请（专利权）人： | 无锡莱顿电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L19/14;G01L19/06 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214072 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅压力传感器的封装结构，包括盖板和底座，两者相互连接并形成中部空腔，在所述中部空腔内设置有密封垫和压力传感硅片，密封垫衬在压力传感硅片下方，压力传感硅片的焊盘通过盖板与外电路连接。本发明简化了封装结构及生产工艺，材料及工艺成本均大幅度降低，并且具备防过载能力。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种硅压力传感器的封装结构，其特征在于：包括盖板(201)和底座(202)，两者相互连接并形成中部空腔，在所述中部空腔内设置有密封垫(203)和压力传感硅片(204)，密封垫(203)衬在压力传感硅片(204)下方，压力传感硅片(204)的焊盘通过盖板(201)与外电路连接。
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