[发明专利]光学半导体器件有效
| 申请号： | 201010135255.0 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101794835A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尾内敏彦;井辻健明;笠井信太郎 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光学半导体器件，其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10)，其中，当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时，所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面，其间夹着所述半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光学半导体器件，其包括：具有光电导性的半导体薄膜；用于在所述半导体薄膜的厚度方向向该半导体薄膜的内部施加电场的一对电极，以及用于传播从所述半导体薄膜产生的电磁波的传输路径，所述传输路径电连接到所述电极之一，其中所述半导体薄膜在其被施加电场的区域中接收光以产生电磁波；以及其中所述半导体薄膜被布置在所述一对电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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