[发明专利]掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术无效
| 申请号： | 201010132905.6 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101787518A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学(北京) |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 金刚石 涂层 离子束 溅射 沉积 技术 | ||
【主权项】：
一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，其特征在于：所述方法将离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束刻蚀清洗结合起来合成多元掺杂DLC涂层，所述方法包括以下步骤：(1)首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层；(2)利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束刻蚀清洗，获得原子级的清洁表面；(3)利用离子束辅助沉积方法制备梯度过渡层；(4)利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积方法制备多元掺杂DLC涂层。
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