[发明专利]一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法

摘要

本发明为一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片灵敏度，提高芯片的成品率。其包括硅片、真空腔、玻璃基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件、对准标记组件，其特征在于：所述硅片正反面的四角分别设置有对准标记结构，所述硅片的正面的最大应力线性区为敏感电阻排布区，敏感电阻排布区形状为矩形，所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P+连接、N+隔离槽、铝电极，所述压敏电阻具体为两对桥接电阻，所述每个桥接电阻包括一对敏感电阻，所述敏感电阻具体为直线电阻，所述每对桥接电阻的桥接电阻分别对称排布于所述敏感电阻排布区四边的两对边，所述每个桥接电阻被所述N+隔离槽包围。

主权项

一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、真空腔、玻璃基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件、对准标记组件，其特征在于：所述硅片正反面的四角分别设置有对准标记结构，所述硅片的正面的最大应力线性区为敏感电阻排布区，敏感电阻排布区形状为矩形，所述敏感电阻排布区内包括压敏电阻、P+连接、N+隔离槽、铝电极，所述压敏电阻具体为两对桥接电阻，所述每个桥接电阻包括一对敏感电阻，所述敏感电阻具体为直线电阻，所述每对桥接电阻的桥接电阻分别对称排布于所述敏感电阻排布区四边的两对边，所述每个桥接电阻被所述N+隔离槽包围，所述桥接电阻的两端分别通过所述P+连接连接所述铝电极，所述铝电极分布于所述敏感电阻排布区四边边缘，所述铝电极分布于所述桥接电阻外边缘，其包括振膜、背极板、基体，其特征在于：所述振膜包括振膜中心部分、直梁、旋转梁、窄槽，所述振膜的圆弧处为所述旋转梁，所述旋转梁连接外部的直梁，所述旋转梁与所述振膜中心部分的连接处开有窄槽，所述基体底部对应上部振膜位置有深度可调的空腔，所述空腔的上部基体部分即为所述背极板。