[发明专利]具备具有二极管区和IGBT区的半导体基板的半导体装置

摘要

本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。

主权项

一种半导体装置，其具备形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板，其特征在于，在二极管区内的半导体基板的上表面上形成有阳极电极，在绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的上表面上形成有发射电极，在半导体基板的下表面上形成有共用电极，在二极管区内形成有：阳极区，其为p型，且与阳极电极相接；二极管漂移区，其为n型，且被形成在阳极区的下侧；阴极区，其为n型，且n型杂质浓度高于二极管漂移区，并被形成在二极管漂移区的下侧，与共用电极相接，在绝缘栅双极性晶体管区内形成有：发射区，其为n型，且与发射电极相接；体区，其为p型，且被形成在发射区的侧方以及下侧，并与发射电极相接；绝缘栅双极性晶体管漂移区，其为n型，且被形成在体区的下侧；集电区，其为p型，且被形成在绝缘栅双极性晶体管漂移区的下侧，并与共用电极相接；栅电极，其通过绝缘膜而与将发射区和绝缘栅双极性晶体管漂移区分离的范围内的体区对置，在二极管区和绝缘栅双极性晶体管区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区，在二极管漂移区内形成有二极管寿命控制区，二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命，二极管寿命控制区的绝缘栅双极性晶体管区侧的端部位于分离区的下方。