[发明专利]硅质膜的形成方法以及通过该方法形成的硅质膜有效
| 申请号： | 200980106119.4 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101952953A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 长原达郎;林昌伸 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料(日本)株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;B05D7/24;C09D5/25;C09D183/16;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅质膜的形成方法，该膜中的氮含量很低。该方法包括：将聚硅氮烷组合物涂布在具有凹凸的衬底表面上以形成涂层，使该涂层中仅与衬底表面相邻的部分硬化，从而沿着具有凹凸的衬底的形状形成被覆膜，并且移除在形成被覆膜的步骤中未硬化的聚硅氮烷组合物。使用通过该方法形成的硅质膜，可以沉积出多层硅质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 质膜 形成 方法 以及 通过 | ||
【主权项】：
一种硅质膜的形成方法，包括：(A)第一涂布步骤，其中将聚硅氮烷组合物涂敷在具有凹部和凸部的衬底的表面上以形成涂层；(B)形成被覆膜的步骤，其中所述涂层仅在邻近衬底表面的部分硬化，从而沿着具有凹凸的所述衬底的形状形成被覆膜；以及(C)移除未硬化层的步骤，其中将所述涂层的在上述形成被覆膜的步骤中未硬化的部分中残留的聚硅氮烷组合物移除。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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