[发明专利]化合物半导体单晶制造装置和制造方法有效
| 申请号： | 200980000432.X | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101680109A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤一成;水原奈保;谷崎圭祐;宫永伦正;樱田隆;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/08 | 分类号： | C30B23/08;C23C14/28;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体单晶制造装置，包括：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底，其中所述升华的原料在起始衬底处再结晶；以及加热器(7)，其能加热所述起始衬底。
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