[发明专利]具有肖特基势垒二极管的集成电路结构无效
| 申请号： | 200910246945.0 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102013426A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 叶秉君;叶德强;柳瑞兴;刘醇明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有肖特基势垒二极管的集成电路结构，包括形成于n型阱区上的金属硅化物层，形成于n型阱区上并包围所述金属硅化物层的p型保护环。所述金属硅化物层的外层部分延伸到与所述保护环的内缘部分重叠，一肖特基势垒形成于所述金属硅化物层的内层部分与阱区的交界处。导电触点与上述金属硅化物层的内层部分和外层部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基势垒二极管 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中的第一传导型阱区；形成于第一阱区之上并具有内层部分和外层部分的金属硅化物层；形成于所述阱区之上并包围金属硅化物层的具有和第一传导型相反的第二传导型的保护环，其中，金属硅化物层的外层部分延伸到与保护环的内缘部分重叠，而肖特基势垒形成于金属硅化物层的内层部分与所述阱区的交界处；与所述金属硅化物层的内层部分和外层部分接触的导电触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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