[发明专利]具有大的霍尔效应的氮化铁薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910229189.0 申请日: 2009-12-15
公开(公告)号: CN101705474A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 米文搏;白海力 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种具有大的异常霍尔效应的氮化铁薄膜的制备方法,采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的KPS450型可调三靶超高真空磁控溅射镀膜机,在强磁性靶头上安装一个纯度为99.99%的Fe靶。靶材的厚度为2.3mm,直径为60mm;靶与基片之间的距离为10cm。开启磁控溅射设备,直至溅射室的背底真空度为8×10-6Pa;向真空室通入纯度为99.999%的Ar和N2的混合气体,将真空度保持在1Pa。在Fei靶上施加0.3A的电流和300V左右的直流电压;完全打开闸板阀,待系统冷却后,向真空室充入纯度为99.999%的氮气,打开真空室,取出样品。由于目前工业化生产所采用的主要方法是溅射法,本发明所采用的反应溅射法,不需要基底加热等附加条件,在工业化生产上具有明显优势。
搜索关键词: 具有 霍尔 效应 氮化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种具有大的异常霍尔效应的氮化铁薄膜的制备方法,其特征是步骤如下:1)采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的KPS450型可调三靶超高真空磁控溅射镀膜机,在强磁性靶头上安装一个纯度为99.99%的Fe靶;靶材的厚度为2.3mm,直径为60mm;靶与基片之间的距离为10cm;2)将基底材料表面杂质清除后,将基底安装在基片架上,靶与基片之间的距离为10cm,基片架在上方,靶在下方;3)开启磁控溅射设备,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空,直至溅射室的背底真空度为8×10-6Pa;4)向真空室以100sccm的速率通入纯度为99.999%的Ar15sccm和的速率通入纯度为99.999%的N2的混合气体,将真空度保持在1Pa;5)开启溅射电源,在Fe靶上施加0.3A的电流和300V的直流电压,预溅射10分钟,等溅射电流和电压稳定;6)打开基片架上的档板开始溅射,基片位置固定;溅射过程中,基底不加热;7)溅射结束后,关闭基片架上的档板,然后关闭溅射电源,停止通入溅射气体Ar和N2,完全打开闸板阀,继续抽真空,然后关闭真空系统;待系统冷却后,向真空室充入纯度为99.999%的氮气,打开真空室,取出样品。
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