[发明专利]源跟随晶体管,象素结构及电路有效
| 申请号： | 200910198481.0 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054863A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施例，提供了一种源跟随晶体管，其特征在于所述源跟随晶体管的阱与其他同种导电类型的区域隔离，所述源跟随晶体管的源和阱电学连接。其电压增益接近于1，即本发明的源跟随晶体管为高增益源跟随晶体管。根据本发明的又一个实施例，提供了一种CMOS传感器的象素电路，包括：光电二极管，用于在光线照射下产生电子-空穴对，并收集所述电子或空穴；以及源跟随晶体管，用于根据所述光电二极管收集的电子或空穴产生输出电压，其特征在于，所述源跟随晶体管的源和阱电学连接。由于采用的源跟随晶体管的增益接近于1，本发明的CMOS传感器的象素结构及象素电路具有高灵敏度和高信噪比的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 跟随 晶体管 象素 结构 电路 | ||
【主权项】：
一种源跟随晶体管，其特征在于，所述源跟随晶体管的阱与其他同种导电类型的区域隔离，所述源跟随晶体管的源和阱电学连接。
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