[发明专利]半导体存储器的测试模式信号产生器及其产生方法有效
| 申请号： | 200910175904.7 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101677023A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金起业 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;H03K3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于半导体存储设备的测试模式信号产生器，包括响应于测试模式寄存器设置信号接收输入的测试进入模式设置地址的测试模式进入控制单元。该测试模式进入控制单元依据该测试进入模式设置地址，输出多个测试进入模式信号和一个测试模式设置信号。锁存单元，响应于该测试模式设置信号锁存测试地址解码信号，及通过使得各测试进入模式信号控制锁存的测试地址解码信号来输出多个测试模式信号。对于每一测试进入模式产生测试模式信号，因此测试模式的数目增加，而不会使用于支持测试模式的地址数目增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 测试 模式 信号 产生器 及其 产生 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器的测试模式信号产生器，包括：测试模式进入控制单元，被配置为响应于测试模式寄存器设置信号接收多个测试进入模式设置地址，以及被配置为根据该测试进入模式设置地址输出多个测试进入模式信号和一个测试模式设置信号；以及锁存单元，被配置为响应于该测试模式设置信号锁存多个测试地址解码信号，并且被配置为输出多个测试模式信号，每个测试模式信号与该测试进入模式信号中的任意一个对应，其中由该测试进入模式信号控制各个被锁存的信号来输出作为测试模式信号。
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