[发明专利]利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法无效

专利信息
申请号: 200910168588.0 申请日: 2009-08-25
公开(公告)号: CN101994089A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 张正杰 申请(专利权)人: 锦兴光电股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法,其利用所有腔体排成一直线的多腔体的连续式真空溅镀设备,先对金属、陶瓷、玻璃、塑料件、镁铝金或其它材质制的工件的表面进行表面清洁、活化处理,然后在该工件的表面上依序形成致密层和保护层,并在该工件在进入一腔体时,另一工件则已进入该腔体的前一个腔体。
搜索关键词: 利用 连续 真空 设备 形成 工件 防污 方法
【主权项】:
一种利用连续式真空溅镀设备形成工件的防污层的方法,其特征在于,包括下列步骤:a)使该工件进入该连续式真空溅镀设备的一进料腔体;b)使该工件从该进料腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第一暂存腔体;c)使该工件从该第一暂存腔体继续进入至该真空溅镀设备的一清洁腔体,于该清洁腔体内通入适当的Ar气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar气体成为等离子而对该工件的表面进行清洁、活化处理;d)使该工件从该清洁腔体继续进入至该真空溅镀设备的一第二暂存腔体;e)使该工件从该第二暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一硅靶材的一第一溅镀腔体,于该第一溅镀腔体内通入适当的Ar、N2、O2气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar成为等离子,并对该硅靶材进行轰击,以在该工件的表面上形成一致密层;f)使该工件从该第一溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第三暂存腔体;g)使该工件从该第三暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的具有一由氟化物烧结而成的陶瓷靶材的一第二溅镀腔体,于该第二溅镀腔体内通入适当的Ar气体,且以3~5W/cm2的能量激发Ar气体成为等离子,并对该氟化物和氟碳化合物混合的陶瓷靶材进行轰击,以在该工件的该致密层上形成一保护层;h)使该工件从该第二溅镀腔体继续进入该真空溅镀设备的一第四暂存腔体;以及i)使该工件从该第四暂存腔体继续进入该真空溅镀设备的一出料腔体。
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