[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 200910165976.3 | 申请日: | 2009-08-20 |
公开(公告)号: | CN101656103A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 宇野和正 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412;G11C11/417 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;李 亚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体存储装置,抑制非选择列的充放电电流,并确保低压动作下的读写动作裕度。在具有与多个字线(WLBk、WLBK+1)和多个位线对(D1、DB1、D1+1、DB1+1)的交点对应地设置的多个存储单元205的半导体存储装置中,设置分别与位线对应地设置的列选择线(S1、S1+1),各存储单元205上设置逆变器(INV3),其电源从列选择线提供,字线连接到输入,输出连接到存取晶体管的栅极,仅导通字线和列选择线同时被选择的单元的存取晶体管。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,具有:多个字线;多个位线对,分别由第一位线、第二位线构成;多个存储单元,与上述多个字线和上述多个位线对的各交点对应地设置成矩阵状;以及多个列选择线,与上述多个位线对分别对应地设置,上述多个存储单元分别具有:第一逆变器,以第一节点为输入,以第二节点为输出;第二逆变器,以上述第二节点为输入,以上述第一节点为输出;第一存取晶体管,连接在上述第一位线和上述第一节点之间;第二存取晶体管,连接在上述第二位线和上述第二节点之间;第一个第一导电型晶体管,连接在上述第一存取晶体管、第二存取晶体管的栅极和上述列选择线之间,栅极连接到上述字线;以及第一个第二导电型晶体管,连接在上述第一存取晶体管、第二存取晶体管的栅极和固定电位之间,栅极连接到上述字线。
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