[发明专利]层压系统有效
申请号: | 200910118050.9 | 申请日: | 2005-05-31 |
公开(公告)号: | CN101527270A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 渡边了介;高桥秀和;鹤目卓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;杨松龄 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率,并且防止损失和破坏。还有,本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤,并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统,其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行;因此,可以极大地提高生产效率。还有,由于使用了相互对置的辊对,因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。 | ||
搜索关键词: | 层压 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体设备,其包括:薄膜集成电路,其布置于第一基底和第二基底之间,所述薄膜集成电路包括:底部绝缘膜;薄膜晶体管,其位于所述底部绝缘膜之上;导电层,其位于所述薄膜晶体管之上;和绝缘膜,其位于所述薄膜晶体管之上;其中,所述薄膜集成电路由所述第一基底及所述第二基底密封,所述第一基底在所述薄膜集成电路之外的区域与所述第二基底接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造