[发明专利]晶片水平芯片级封装及激光标识该封装的方法有效
| 申请号： | 200910004152.8 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101807511A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞生;刘燕;冯涛 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/50;H01L23/544;B23K26/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片水平芯片级封装和激光标识该封装的方法。该方法包括在晶片的前表面形成若干半导体器件，金属化晶片前表面的器件触点，研磨晶片的背面，硅蚀刻晶片的背面，在硅蚀刻步骤后，激光标识晶片的背面，激光标识步骤后，氧化蚀刻晶片的背面，氧化蚀刻步骤后，在晶片背面沉积一个金属层，将晶片切成若干晶片水平芯片级封装的步骤。晶片水平芯片级封装包括形成在其背面的标识，该标识包括若干形成在硅背面的沟槽和相应的形成在覆盖背面的金属层上的刻痕。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 水平 芯片级 封装 激光 标识 方法 | ||
【主权项】：
一种激光标识一个晶片水平芯片级封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在晶片的前表面形成若干半导体器件；(b)在晶片前表面金属化器件触点；(c)研磨晶片的背面；(d)硅蚀刻晶片的背面；(e)在步骤(d)之后，激光标识晶片的背面；(f)在步骤(e)之后，氧化蚀刻晶片的背面；(g)在步骤(f)之后，在晶片的背面沉积一个金属层；(h)将晶片切成若干晶片水平芯片级封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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