[发明专利]薄膜晶体管、主动阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200810090659.5 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101257049A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 林汉涂;杨智钧;廖金阅;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、具有该薄膜晶体管的主动阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管包括：一基底，具有一凹槽；一栅极，位于该凹槽内；一栅绝缘层，位于该栅极上，其中至少部分该栅绝缘层位于该凹槽内；一通道层，位于该栅绝缘层上；以及一源极以及一漏极，位于该通道层上并分别对应该栅极的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 主动 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基底，具有一凹槽；一栅极，位于该凹槽内；一栅绝缘层，位于该栅极上，其中至少部份该栅绝缘层位于该凹槽内；一通道层，位于该栅绝缘层上；以及一源极以及一漏极，位于该通道层上并分别对应该栅极的两侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810090659.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
