[发明专利]热分解性氮化硼复合基板的制造方法无效
| 申请号： | 200810088668.0 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286443A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飞坂优二;秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。 | ||
| 搜索关键词： | 分解 氮化 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热分解性氮化硼复合基板的制造方法，包括：工序A，是从硅基板的主面注入氢离子；工序B，是对热分解性氮化硼基板和上述硅基板的至少一方的主面，施行活化处理；工序C，是贴合上述热分解性氮化硼基板和上述硅基板的主面彼此之间；以及工序D，是将硅薄膜从上述硅基板剥离而在上述热分解性氮化硼基板的主面上形成硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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