[发明专利]SOI基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810088667.6 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286442A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;川合信;飞坂优二;田中好一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;刘春生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基板的制造方法，其特征在于，包括：工序A，是贴合硅基板和绝缘性基板的表面彼此之间，该硅基板在最表面具有深度L的高浓度硼添加p层；工序B，是通过至少包含化学性蚀刻的工序的薄板化方法，从背面将上述贴合后的硅基板薄板化，使该硅基板的厚度为L以下；以及工序C，是对上述厚度L以下的硅层，在含氢气氛中施行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
