[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200810085243.4 | 申请日： | 2008-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101262120A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田保明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在谐振器的端面形成保护膜的长寿命的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：沿激光的行进方向(X方向)设置的谐振器；设于谐振器的一端且射出激光的前端面(8)；设于谐振器的另一端的后端面(9)。在前端面(8)和后端面(9)的至少一个面的最前面，设有阳极氧化膜。将激光的振动波长设为λ、阳极氧化膜的折射率设为n时，阳极氧化膜的厚度优选为λ/4n或其奇数倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系半导体激光装置，其为在衬底上层叠半导体膜而形成的半导体激光器，其特征在于，具备：沿激光的行进方向设置的谐振器；设于所述谐振器的一端且射出所述激光的第一端面；以及设于所述谐振器的另一端的第二端面，在所述第一端面及所述第二端面的至少一个面的最前面，设有所述半导体自身被阳极氧化的阳极氧化膜。
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