[发明专利]气体流动扩散器无效
| 申请号： | 200810084518.2 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101308771A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 保罗·比瑞哈特;丹尼尔·J·霍夫曼;詹姆斯·D·卡达希;周逍平;马修·L·米勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体流动扩散器。在一个实施例中，提供一种真空处理室，其包括具有内部体积的室本体、设置在内部体积中的衬底支撑件和具有非对称分布的气体喷射端口的气体分配组件。在另一实施例中，提供一种用于真空处理衬底的方法，其包括将衬底设置在处理室内的衬底支撑件上，使处理气体横向流入限定在气体分配板上方的区域中，其中气体分配板定位在处理室中衬底的上方，以及在存在处理气体的情况下对衬底进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 流动 扩散器 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理室，包括：具有内部体积的室本体；设置在所述内部体积中的衬底支撑件；泵送端口，其设置在所述衬底支撑件的衬底支撑表面的平面下方，其中，所述泵送端口的位置和所述内部体积的几何形状具有在衬底上产生非对称处理结果的构造，所述衬底设置在所述支撑件的所述衬底支撑表面；以及气体分配组件，其定位在所述衬底支撑件的所述衬底支撑表面的所述平面的上方，其中，选择所述气体分配组件的构造以调节由于所述泵送端口和所述内部体积的几何形状引起的处理结果的对称性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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