[发明专利]一种半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 200810068405.3 申请日: 2008-07-05
公开(公告)号: CN101620938A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 林信平;宫清;刘倩倩;陈炎 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/04;H01M14/00;H01M10/36;H01M4/00;H01L31/0224;H01L31/18;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118广东省深圳市龙岗区坪*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种染料敏化太阳能电池用半导体电极包括导电底层、形成于该导电底层上的半导体层和形成于该半导体层上的染料层,所述半导体层含有半导体颗粒和金属氧化物颗粒。本发明还提供了该半导体电极的制备方法和含有该半导体电极的染料敏化太阳能电池。所述半导层中加入金属氧化物颗粒,金属氧化物颗粒可以Zr、Nb、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Zn、Cd、Sn、Bi、Fe、Sb中的一种或几种的氧化物颗粒,由于金属氧化物颗粒的存在,使半导体中的电子和空穴有效分离,延长电子-空穴的寿命,增大光生电流,从而提高染料敏化太阳能电池的光电转换率。
搜索关键词: 一种 半导体 电极 制法 含有 太阳能电池
【主权项】:
1、一种染料敏化太阳能电池用半导体电极,该半导体电极包括导电底层、形成于该导电底层上的半导体层和形成于该半导体层上的染料层,所述半导体层含有半导体颗粒和金属氧化物颗粒,所述金属氧化物颗粒为Zr、Nb、Ta、Mo、W、Ni、Cu、Zn、Cd、Sn、Bi、Fe、Sb中的一种或几种的氧化物颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810068405.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top