[发明专利]由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法无效
申请号: | 200810056727.6 | 申请日: | 2008-01-24 |
公开(公告)号: | CN101492835A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 刘兴昉;孙国胜;李晋闽;赵永梅;王雷;赵万顺;王亮;纪刚;杨挺;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B25/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一绝缘衬底;步骤2:采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理,用于去除表面划痕等缺陷,将表面刻蚀平整;步骤3:对绝缘衬底进行高温氮化处理,用于活化外延表面,使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系;步骤4:在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅;步骤5:将碳化硅中的硅原子蒸发掉,完成在绝缘衬底上制备石墨烯。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 衬底 超薄 六方相 碳化硅 外延 石墨 方法 | ||
【主权项】:
1、一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一绝缘衬底;步骤2:采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理,用于去除表面划痕等缺陷,将表面刻蚀平整;步骤3:对绝缘衬底进行高温氮化处理,用于活化外延表面,使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系;步骤4:在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅;步骤5:将碳化硅中的硅原子蒸发掉,完成在绝缘衬底上制备石墨烯。
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