[发明专利]光刻方法及系统有效
| 申请号： | 200810041879.9 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101655666A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 柳会雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种光刻方法及系统，以提高光刻效率。该方法包括：判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；在处于预定范围内时，进行光刻；以及在未处于预定范围内时，禁止光刻；该系统包括：判断单元，用于判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；光刻单元，用于在判断单元判断出处于预定范围内时，进行光刻；以及光刻禁止单元，用于在判断单元判断出未处于预定范围内时，禁止光刻。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种光刻方法，其特征在于，包括：判断光刻工艺条件参数是否处于预定范围内；在处于预定范围内时，进行光刻；以及在未处于预定范围内时，禁止光刻。
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