[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
| 申请号： | 200810001967.6 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101236890A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宫城雅宏;佐藤雅伸 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;B08B3/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕;马少东 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置(1)具有向基板(9)以连续流动的状态喷出导电性处理液的喷出部(32)。在喷出部(32)的喷出口(321)附近设置有导电性的接触液体部(322)，接触液体部(322)与电位赋予部(41)相连接。另外，因围住基板(9)周围的杯体部(23)带电而使成为处理对象的基板(9)产生感应静电。在向基板(9)上供给处理液而对基板(9)进行处理时，在开始喷出处理液时，经由接触液体部(322)对处理液赋予电位，由此降低向基板(9)喷出的处理液和基板(9)之间的电位差。因此能够抑制由处理液和基板(9)之间的放电而发生的对基板(9)的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其向基板供给处理液而对所述基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：喷出部，其向基板以连续流动的状态喷出导电性的处理液；电位赋予部，其在贮存喷出前的所述处理液的容器、从所述容器至所述喷出部的流道、或者所述喷出部中，至少在所述处理液的喷出开始时对所述处理液赋予电位，从而降低向所述基板上喷出的处理液和所述基板之间的电位差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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