[实用新型]一种MEMS电可调光衰减器芯片无效
| 申请号： | 200720072103.4 | 申请日： | 2007-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN201083883Y | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;张晓东;丁树芹;江猛 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学上海永鼎光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/02 | 分类号： | G02B26/02;G02B6/26 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘粉宝 |
| 地址： | 200062上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS电可调光衰减器芯片，其包括上、下电极，其中上、下电极包括硅层和电极层；上、下电极的硅层通过二氧化硅氧化层呈上下连接；在下电极的硅层上腐蚀有一空腔；在上电极的硅层上腐蚀出一悬臂部分，在悬臂部分上的电极层上设置有一反射镜；将悬臂部分的硅层与下电极的硅层之间的二氧化硅氧化层腐蚀掉，形成镂空。本实用新型采用SOI(绝缘层上硅)技术，制作悬臂式电控反射镜，取代氮化硅薄膜空腔作为活动元件。SOI材料与氮化硅材料比较有更高的抗疲劳性，增加了器件的可靠性。采用反射镜运动使得光偏出光路达到衰减，取代原Fabry－Perot干涉仪结构，结构更简单，工艺更容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 调光 衰减器 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS电可调光衰减器芯片，其特征在于，包括一上电极和一下电极，其中下电极包括硅层和蒸镀在硅层底表面上的电极层，上电极也包括硅层和蒸镀在硅层上表面上的电极层；所述上、下电极的硅层通过二氧化硅氧化层呈上下连接；在所述下电极的硅层上腐蚀有一空腔；在所述上电极的硅层上腐蚀出一悬臂部分，在所述悬臂部分上的电极层上设置有一反射镜；将所述悬臂部分的硅层与下电极的硅层之间的二氧化硅氧化层腐蚀掉，形成镂空。
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