[发明专利]化学机械抛光垫无效
| 申请号： | 200710300517.2 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101204795A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | M·J·库尔普;D·B·詹姆斯;R·F·安特瑞 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D17/00 | 分类号： | B24D17/00;B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种适合对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行抛光的化学机械抛光垫。所述抛光垫具有形成连续聚合物基质的高模量组分，以及位于所述连续聚合物基质中的抗冲改性剂。所述高模量组分的模量至少为100MPa。所述抗冲改性剂具有低模量组分，所述低模量组分的模量至少比所述高模量组分的模量低一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种适合对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行抛光的化学机械抛光垫，所述抛光垫具有形成连续聚合物基质的高模量组分，以及位于所述连续聚合物基质中的抗冲改性剂，所述高模量组分的模量至少为100MPa，所述抗冲改性剂具有低模量组分，所述低模量组分的模量至少比所述高模量组分的模量低一个数量级，在至少一个方向的平均长度为10-1,000纳米，占抛光垫的体积百分数为1-50体积％，所述低模量组分增大了所述抛光垫的抗冲能力。
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