[发明专利]单晶外部基极和发射极异质结构双极晶体管及相关方法有效
| 申请号： | 200710161922.0 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101179024A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | T·N·亚当;T·A·华尔纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/82;H01L29/737;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种异质结构双极晶体管(HBT)及相关方法。在一个实施例中，所述HBT包括异质结构双极晶体管(HBT)，其包括：衬底；在所述衬底顶上的单晶发射极；在所述衬底中的集电极；邻近所述集电极的至少一个隔离区域；在每个隔离区域之上延伸的单晶硅锗(SiGe)内部基极；以及单晶硅外部基极。一种方法包括将所述内部和外部基极以及所述发射极形成为单晶，其中利用多孔硅上的选择性外延生长以自对准的形式形成所述外部基极(和发射极)。结果，可以略去一些掩模层，使其成为常规处理的廉价替代。 | ||
| 搜索关键词： | 外部 基极 发射极 结构 双极晶体管 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成异质结构双极晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成注入的区域；在所述注入的区域和所述衬底之上形成单晶硅锗(SiGe)内部基极；在所述单晶SiGe内部基极之上形成单晶发射极；在所述单晶SiGe内部基极之上形成自对准的单晶外部基极；以及将所述注入的区域转变为隔离区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
