[发明专利]p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法有效
| 申请号： | 200710160237.6 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101183595A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 严密;顾浩;马天宇;罗伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/193 | 分类号： | H01F10/193;H01F1/40;H01F41/14;C01G9/02;C23C18/00;H01L29/22;H01L21/368;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1－x－yTMyNaxO，Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等，x＝0－10％，y＝0－20％。方法：将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品，或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃，蓝宝石，SiC等)上均匀覆涂，烘干、热处理后，得到薄膜样品。溶胶－凝胶法制备材料具有技术简单，低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上，成功引入Na离子得到p型掺杂，使磁性能得到提高，并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 zno 基稀磁 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料，其特征在于分子结构式为Zn1-x-y TMyNaxO，TM代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等，x＝0-10％，y＝0-20％。
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