[发明专利]误差校正电路和方法、包含该电路的半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200710139739.0 申请日: 2007-07-30
公开(公告)号: CN101131876A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 任容兑;崔润浩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;韩素云
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种误差校正电路、误差校正方法和包含该误差校正电路的半导体存储装置。误差校正电路包括:局部校正子发生器、第一和第二误差位置检测器、系数计算器和确定器。局部校正子发生器计算至少两个局部校正子。第一误差位置检测器使用部分局部校正子计算第一误差位置。系数计算器使用局部校正子计算误差位置方程的系数。确定器基于系数确定误差类型。第二误差位置检测器基于误差类型选择地计算第二误差位置。半导体存储装置包括:误差校正电路;ECC编码器,基于信息数据产生编码的数据并通过将校正子数据和信息数据结合产生编码的数据;存储核,存储编码的数据。多比特ECC性能被保持,并且可对预定(1或2)或更少数量的误差比特快速执行ECC。
搜索关键词: 误差 校正 电路 方法 包含 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种误差校正电路,包括:至少两个误差位置检测器,被配置为并行操作并具有不同的误差位置计算时间;确定器,被配置为确定误差类型;主控制器,结合到所述至少两个误差位置检测器和所述确定器上,所述主控制器被配置为基于误差类型和所述至少两个误差位置检测器的输出来确定最终误差位置。
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