[发明专利]一种衬底偏置混频器无效
| 申请号： | 200710119121.8 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101083450A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张晓林;宋丹;张展;夏温博 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底偏置混频器。该混频器的主体部分由以下几部分组成：N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS、中频负载电阻、源极负反馈电感和电感电容并联谐振回路。该混频器电路结构中，电源和地之间只有一级两对NMOS管，电路中所有NMOS管的衬底均加有固定偏置电压，减小了NMOS管的阈值电压，实现了超低电压、超低功耗设计。本发明可用于深亚微米RF CMOS电路的应用，尤其用于卫星导航双系统兼容接收机射频集成电路的设计研制，在军用和民用方面都有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 偏置 混频器 | ||
【主权项】：
1.一种衬底偏置混频器，其特征在于：该混频器的主体部分由一级两对N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS、中频负载电阻、源极负反馈电感和电感电容并联谐振回路所构成，其主体部分电路结构中的一级两对NMOS管的衬底端连接有相同的固定偏置电压Vbias(26)；第一个NMOS管的源极与第二个NMOS管的源极连接，第三个NMOS管的源极与第四个NMOS管的源极连接，且射频差分电压信号从这两对NMOS的两个共源极输入，两对NMOS管的源极通过一对源极负反馈电感和电感电容并联谐振回路连接至地；第一个NMOS管的栅极与第四个NMOS管的栅极连接，第二个NMOS管的栅极与第三个NMOS管的栅极连接，且本振差分电压信号从这两对NMOS的两个共栅极输入；第一个NMOS管的漏极与第三个NMOS管的漏极连接后，通过一个中频负载电阻连接至电源电压，第二个NMOS管的漏极与第四个NMOS管的漏极连接后，通过另一个中频负载电阻连接至电源电压，该对中频负载电阻将两对NMOS管的漏极输出电流转换为一组中频差分电压信号输出。
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