[发明专利]晶片薄化装置以及晶片处理系统有效
| 申请号： | 200710108704.0 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101083205A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 广江敏朗;新居健一郎 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶片薄化装置以及晶片处理系统，该晶片薄化装置使至少电路形成面被保护着的晶片浸渍到处理液中而进行处理。所述装置包括：承载台，其用于承载容置器，该容置器按照给定范围的厚度对多张晶片进行分组，并且容置同组的多张晶片；处理槽，其贮存处理液，并容置所述容置器；搬运机构，其在所述承载台与所述处理槽之间搬运容置器；控制部，其操作所述搬运机构，以将容置器按顺序搬运到所述处理槽中，并且，根据组别来改变容置器在所述处理槽中的浸渍时间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 化装 以及 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片薄化装置，其使至少电路形成面被保护着的晶片浸渍到处理液中而进行处理，其特征在于，所述晶片薄化装置包括：承载台，其用于承载容置器，该容置器按照给定范围的厚度对多张晶片进行分组，并容置同组的多张晶片；处理槽，其贮存处理液，并容置所述容置器；搬运机构，其在所述承载台与所述处理槽之间搬运容置器；控制部，其操作所述搬运机构，将容置器按顺序搬运到所述处理槽中，并且根据组别来改变容置器在所述处理槽中的浸渍时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网目版制造株式会社，未经大日本网目版制造株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710108704.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种红花复方制剂及其制备工艺
- 下一篇：一种消除雷击引起的电源浪涌电压的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
