[发明专利]钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法无效
| 申请号： | 200710099092.3 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055895A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张铭;陆然;代红云;严辉;王波;宋雪梅 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 结构 氧化物 氧化锌 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结，其特征在于：其结构从下到上为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)，在Pt电极层(2)和LSMO薄膜(4)上分别沉积Ag电极(5)。
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