[发明专利]CMOS晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200710094467.7 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459136A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘乒;马擎天;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区，PMOS有源区与NMOS有源区相邻；栅极，位于PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上；NMOS有源区栅极两侧的半导体衬底内形成有n型低掺杂漏极和n型源/漏极；PMOS有源区栅极两侧的半导体衬底内形成有p型低掺杂漏极和p型源/漏极，PMOS有源区的栅极两侧有偏移间隙壁及位于偏移间隙壁上的侧墙，NMOS有源区的栅极两侧有侧墙。本发明还提供一种CMOS晶体管的制作方法。使PMOS有源区与NMOS有源区的栅漏间电容值差距减小。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构、位于隔离结构之间的PMOS有源区和NMOS有源区，PMOS有源区与NMOS有源区相邻，其中，PMOS有源区与NMOS有源区的半导体衬底上带有栅极，半导体衬底及栅极上形成有氮化硅层；在PMOS有源区的氮化硅层上形成第一光刻胶层后，以第一光刻胶层为掩膜，去除NMOS有源区的氮化硅层；去除第一光刻胶层；在NMOS有源区的半导体衬底上形成第二光刻胶层后，以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀PMOS有源区的氮化硅层，在栅极两侧形成偏移间隙壁；去除第二光刻胶层后，在NMOS有源区的半导体衬底内形成n型低掺杂漏极，在PMOS有源区的半导体衬底内形成p型低掺杂漏极；于栅极两侧形成侧墙后，在NMOS有源区的半导体衬底内形成n型源/漏极，在PMOS有源区的半导体衬底内形成p型源/漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094467.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
