[发明专利]存储器件及其操作方法无效
申请号: | 200710087705.1 | 申请日: | 2007-03-12 |
公开(公告)号: | CN101034590A | 公开(公告)日: | 2007-09-12 |
发明(设计)人: | 朴祥珍;朴永洙;申尚旻;车映官 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;H01L27/115;H01L29/792 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法,且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构,该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移,该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压,且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种对存储器件进行存储操作的方法,包括:在该存储器件的编程操作期间对该存储器件施加负偏压;以及在该存储器件的擦除操作期间对该存储器件施加正偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710087705.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。