[发明专利]形成栅极图形的双重曝光双重抗蚀剂层工艺

摘要

一种形成平面CMOS晶体管的方法，将形成栅极层的步骤划分为：第一步，通过栅极层图形的第一部分构图抗蚀剂层，然后通过栅极图形蚀刻多晶硅。第二步，通过栅极焊盘和局部互连的图像构图第二抗蚀剂层，然后通过栅极焊盘和局部互连的图形蚀刻多晶硅，由此减少衍射的次数以及其它来自不同曝光区域的串扰。

主权项

1.一种形成平面场效应晶体管的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的顶表面上形成栅极介质层；形成设置在所述栅极介质层上的栅极层；形成第一图形层，用于接收栅极层图形的第一部分；提供所述栅极层图形的所述第一部分并通过所述栅极层图形的所述第一部分构图所述第一图形层；在所述第一图形层之上形成平面化层；在所述平面化层上形成第二图形层，用于接收栅极层图形的第二部分，其中所述栅极层图形的所述第二部分与所述栅极层图形的所述第一部分结合以形成所述栅极层图形；通过所述栅极层图形的所述第二部分构图所述第二图形层；利用所述第一图形层和第二图形层作为掩膜蚀刻所述栅极层，由此通过所述栅极层图形构图所述栅极层；以及完成所述晶体管。