[发明专利]监测晶圆击穿电压稳定性的方法有效
| 申请号： | 200710045744.5 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101388353A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张文锋;马峰;徐亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种监测晶圆击穿电压稳定性的方法，包括以下步骤：首先，建立一监控系统，该监控系统包括一高频射频反射能量—击穿电压对应关系表，以及一击穿电压规范表，该规范表包括至少一控制阈值；其次，以一高频射频系统对密室制程中的晶圆发射高频射频信号，并接收其反射能量；再者，将高频射频反射能量导出至该监控系统中，并根据该高频射频反射能量值和该对应关系表计算击穿电压值；以及比较该击穿电压值与该规范表中的控制阈值。本发明的方法能够通过检测和分析密室制程中高频射频反射能量值，可以预知击穿电压值的情形，从而及时作出调整，提高制程中击穿电压值的稳定性，大大降低产品报废的风险，从而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 击穿 电压 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：建立一监控系统，该监控系统包括一高频射频反射能量—击穿电压对应关系表，以及一击穿电压规范表，该规范表包括至少一控制阈值；以一高频射频系统对密室制程中的晶圆发射高频射频信号，并接收其反射能量；将高频射频反射能量导出至该监控系统中，并根据该高频射频反射能量值和该对应关系表计算击穿电压值；以及比较该击穿电压值与该规范表的控制阈值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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