[发明专利]铜化学机械研磨的方法有效
申请号: | 200710044342.3 | 申请日: | 2007-07-27 |
公开(公告)号: | CN101352833A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 贾丽丽;李福洪 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;H01L21/304 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种铜化学机械研磨的方法,用于平坦化半导体基底上的铜金属层,包括,执行第一阶段的研磨去除半导体基底上的铜金属层;执行第二阶段的研磨,移除所述铜金属层下的阻挡层;该第二阶段研磨包括如下步骤:用研磨剂进行主研磨;完成主研磨后,用腐蚀抑制剂进行研磨;用去离子水进行研磨、冲洗。该方法能够减小或消除在研磨中对铜的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铜化学机械研磨的方法,用于平坦化半导体基底上的铜金属层,包括,执行第一阶段的研磨去除半导体基底上的铜金属层;执行第二阶段的研磨,移除所述铜金属层下的阻挡层;其特征在于,该第二阶段研磨包括如下步骤:用研磨剂进行主研磨;完成主研磨后,用腐蚀抑制剂进行研磨;用腐蚀剂进行研磨后,用去离子水进行研磨、冲洗。
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