[发明专利]金属-绝缘-金属型电容器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200710037680.4 申请日: 2007-02-13
公开(公告)号: CN101246910A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 王媛;张步新 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种金属-绝缘-金属型电容器,包括:半导体衬底,位于半导体衬底上的层间介电层,贯穿层间介电层且露出半导体衬底的绝缘沟槽和两个金属沟槽,金属沟槽位于绝缘沟槽两侧且与绝缘沟槽共用槽壁,其中绝缘沟槽内填充有绝缘物质作为绝缘结构,金属沟槽内填充有金属物质作为电容器电极。用上述结构,成本降低且步骤少,并且不会产生蚀刻过度或蚀刻不足的情况。
搜索关键词: 金属 绝缘 电容器 及其 制作方法
【主权项】:
1. 一种金属-绝缘-金属型电容器,包括:半导体衬底,位于半导体衬底上的层间介电层,其特征在于,还包括:贯穿层间介电层且露出半导体衬底的绝缘沟槽和两个金属沟槽,金属沟槽位于绝缘沟槽两侧且与绝缘沟槽共用槽壁,其中绝缘沟槽内填充有绝缘物质作为绝缘结构,金属沟槽内填充有金属物质作为电容器电极。
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