[发明专利]纳米结构和纳米线的制造方法及由其制造的器件有效
| 申请号： | 200710008259.0 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101009214A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | A·马亚姆达;A·沙科里;T·D·桑德斯;P·杨;S·S·毛;R·E·拉索;H·费克;H·金德;E·R·韦伯;M·黄;H·严;Y·吴;R·范 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/04;H01L21/20;H01L33/00;H01L35/34;H01S5/00;H01S5/34;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造纳米线的方法，包括：在催化剂液体中溶解第一气体反应物，然后生长第一段；和在所述催化剂液体中溶解第二气体反应物，然后生长与所述第一段连接的第二成分不同的段；其中所述段的至少之一具有小于约200nm的基本上均匀的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
