[发明专利]用于半导体集成电路基板的隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200680052597.8 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101366112A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 理查德·K·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于半导体基板的隔离区包括介质填充槽和场氧化物区。与槽和场氧化物区的主要部分中的介质材料不同的介质材料的保护盖可用于防止该结构在后续工艺步骤中被侵蚀。隔离结构的顶面与基板的表面共平面。场掺杂区域可形成于场氧化物区下方。为了满足不同装置的要求，隔离结构可具有变化的宽度和深度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成 路基 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基板内形成隔离结构的方法，包括：形成槽于所述半导体基板内；沉积第一介质材料于所述槽内；除去所述第一介质材料的一部分，使得所述第一介质材料的表面位于第一水平，所述第一水平低于所述基板的表面的第二水平，由此形成凹陷；沉积第二介质材料于所述凹陷内；以及除去所述第二介质材料的一部分，使得所述第二介质材料的表面与所述基板的表面基本上共平面，由此形成保护盖于所述槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
