[发明专利]超快恢复二极管有效

专利信息
申请号: 200680051396.6 申请日: 2006-12-19
公开(公告)号: CN101366124A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 理查德·弗朗西斯;李健;范杨榆;埃里克·约翰逊 申请(专利权)人: 美商科斯德半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/861;H01L29/36;H01L29/868
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种超快恢复二极管。在第一实施例中,整流器件包括:第一极性的衬底;连接至衬底的第一极性的轻掺杂层;以及设置有轻掺杂层的金属化层。该超快恢复二极管包括:形成在轻掺杂层中的彼此分离的多个阱,其包括第二极性的掺杂质。多个阱连接至金属化层。超快恢复二极管还包括位于多个阱中的各个阱之间的多个区,其比轻掺杂层更重地掺杂第一极性。
搜索关键词: 恢复 二极管
【主权项】:
1.一种超快二极管,包括:第一极性的衬底;所述第一极性的轻掺杂层,连接至所述衬底;金属化层,设置有所述轻掺杂层;彼此分离的多个阱,所述多个阱形成在所述轻掺杂层中,所述多个阱包括第二极性的掺杂质,其中,所述多个阱连接至所述金属化层;以及多个区,位于所述多个阱中的各个阱之间,所述多个区比所述轻掺杂层更重地掺杂所述第一极性。
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