[发明专利]肖特基势垒二极管及其使用方法无效
| 申请号： | 200680043862.6 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101313407A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 中村智宣;土田秀一;三柳俊之 | 申请（专利权）人： | 财团法人电力中央研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张彬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在肖特基电极和焊线电极之间，设置有中间金属膜，该中间金属膜和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，大于等于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度。因此，焊线电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，即使小于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度时，也可抑制通过针孔的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管在从碳化硅单晶基片表面生长的碳化硅外延膜的表面上，设置有肖特基电极，而在肖特基电极的上面，设置有用于与外部进行电连接的焊线电极，其特征在于，在肖特基电极与焊线电极之间，设置有中间金属膜，该中间金属膜和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度，大于等于肖特基电极和碳化硅外延膜之间的肖特基势垒高度。
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