[发明专利]在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件有效
| 申请号： | 200680035521.4 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101292346A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | J·卡瓦利罗斯;J·布拉斯克;B·多伊尔;U·沙;S·达塔;M·多奇;M·梅茨;R·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种能够将平面型(10)和非平面型(20、30)晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺，其中，所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。 | ||
| 搜索关键词： | 块状 衬底 集成 平面 cmos 晶体管 工艺 制作 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：在块状半导体衬底上形成的平面型晶体管和非平面型晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
