[发明专利]在浸没式光刻术中使用超临界流体以干燥芯片及清洁透镜有效
| 申请号： | 200680023614.5 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101467102A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | R·苏布拉马尼亚姆;B·辛格;K·A·潘 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司;斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈 泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露浸没式光刻方法与系统，其包含透过浸没式光刻工具的透镜与浸没液体照射光阻，该浸没液体位于浸没空间中与透镜及光阻接触；从浸没空间移除浸没液体；将超临界流体注入于浸没空间中；从浸没空间移除超临界流体；以及将浸没液体注入于浸没空间中。 | ||
| 搜索关键词： | 浸没 光刻 使用 临界 流体 干燥 芯片 清洁 透镜 | ||
【主权项】：
1、一种浸没式光刻方法，包括：透过浸没式光刻工具的透镜与浸没液体照射光阻，浸没液体位于浸没空间中的所述浸没液体与所述透镜和所述光阻接触；从所述浸没空间移除所述浸没液体；将超临界流体注入所述浸没空间中；从所述浸没空间移除所述超临界流体；以及将浸没液体注入所述浸没空间中。
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